CARATTERISTICHE
Bassa caduta di tensione diretta Commutazione rapida Caratteristica di recupero graduale Capacità di sovratensione inversa Elevate prestazioni del ciclo termico Linguetta di montaggio isolata
Diodi raddrizzatori epitassiali doppi ultraveloci destinati all'uso come raddrizzatori di uscita negli alimentatori a commutazione ad alta frequenza. La serie BYV32F è fornita nella confezione SOT186. La serie BYV32EX è fornita nella confezione SOT186A.
Valori limite secondo il Sistema del Massimo Assoluto (IEC 134). Simbolo ; Ths = 25 µs; = 0,5; Questo 8,3 ms sinusoidale; con VRWM(max) riapplicato Corrente inversa di picco ripetitivo = 2 µs; = 0,001 per diodo Inversione di picco non ripetitiva 100 µs di corrente per diodo Temperatura di stoccaggio Temperatura di giunzione operativa CONDIZIONI BYV32EX -40 MIN. MASSIMO. UNITÀ °C
1 Trascurare la commutazione e le perdite di corrente inversa Ottobre 1998 1 Rev 1.300
SIMBOLO VC PARAMETRO Tensione condensatore di scarica elettrostatica CONDIZIONI Modello del corpo umano; = 250 pF; 1,5 mila
Ths 25 °C se non diversamente specificato SIMBOLO Visol PARAMETRO Tensione di isolamento RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno Tensione di picco ripetitiva da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno Capacità dal pin 2 al dissipatore di calore esterno CONDIZIONI Pacchetto SOT186A; = 50-60 Hz; forma d'onda sinusoidale; UR 65%; pacchetto SOT186 pulito e privo di polvere; UR 65%; pulito e senza polvere = 1 MHz MIN. TIP. MASSIMO. 2500 UNITÀ V
SIMBOLO Rth j-hs Rth ja PARAMETRO Giunzione termica al dissipatore (per diodo) Giunzione termica all'ambiente CONDIZIONI con mescola del dissipatore senza mescola del dissipatore in aria libera MIN. TIP. 55 MAX. 5,0 7,0 UNITÀ K/W
le caratteristiche sono per diodo 25 °C se non diversamente indicato SIMBOLO trr1 trr2 Irrm Vfr PARAMETRO Tensione diretta Corrente inversa Carica di recupero inversa Tempo di recupero inverso Tempo di recupero inverso Corrente di recupero inversa di picco Tensione di recupero in avanti CONDIZIONI VR = VRWM; VR = VRWM 30 V; -dIF/dt = 20 A/µs 30 V; -dIF/dt = 100 A/µs 1 A; Irec 30 V; -dIF/dt = 50 A/µs; 1A; dIF/dt = 10 A/µs MIN. TIP. MASSIMO. UNITÀ AV
Fig.5. Massima dissipazione diretta PF = f(IF(AV)) per diodo; forma d'onda di corrente quadra dove IF(AV) =IF(RMS) x D.
Fig.6. Massima dissipazione diretta PF = f(IF(AV)) per diodo; forma d'onda di corrente sinusoidale dove a = fattore di forma = IF(RMS) / IF(AV).