TRANSISTOR J-FET AL SILICIO 2N5457
Categoria: JFET
Materiale: Si
Stile di montaggio: Through Hole
Involucro: TO-92
Polarità transistor: N-Channel
Configurazione: Singolo
Vds Tensione drain-source: 25 V
Vgs Tensione gate-source: 25 V
Tensione drain-gate massima: 25 V
Tensione taglio gate-source: -6 V
Corrente drain-source a Vgs=0: 3 mA
Id corrente drain: 10 mA
Pd Dissipazione potenza: 310 mW
Temperatura massima: +150 C
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