TRANSISTOR AL SILICIO 2N5416
Materiale Transistor: Si
Polarita: PNP
Max potenza dissipata (Pc): 10 W
Max tensione collettore base |Vcb|: 350 V
Max tensione collettore emettitore |Vce|: 300 V
Max tensione emettitore base |Veb|: 6 V
Maxcorrente di collettore |Ic max|: 1 A
Max. temperatura di giunsione (Tj): 200 °C
Frequenza di transizione (ft): 115 MHz
Capacitanza collettore (Cc): 15 pF
Guadagno (hFE), MIN: 30
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