TRANSISTOR AL SILICIO 2N3855
Materiale Transistor: Si
Polarita: NPN
Max potenza dissipata (Pc): 0,2 W
Max tensione collettore base |Vcb|: 18 V
Max tensione collettore emettitore |Vce|: 18 V
Max tensione emettitore base |Veb|: 4 V
Maxcorrente di collettore |Ic max|: 0,1 A
Max. temperatura di giunsione (Tj): 100 °C
Frequenza di transizione (ft): 130 MHz
Capacitanza collettore (Cc): 3.5 pF
Guadagno (hFE), MIN: 60
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