TRANSISTOR AL SILICIO 2N2896
Materiale Transistor: Si
Polarità: NPN
Max potenza dissipata (Pc): 0,5 W
Max tensione collettore base |Vcb|: 140 V
Max tensione collettore emettitore |Vce|: 90 V
Max tensione emettitore base |Veb|: 7 V
Max corrente di collettore |Ic max|: 1 A
Max temperatura di giunzione (Tj): 200 °C
Frequenza di transizione (ft): 120 MHz
Guadagno (hFE), MIN: 60
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