Attributo |
Valore |
|---|
Tipo di canale |
N |
Corrente massima continuativa di drain |
80 A |
Tensione massima drain source |
55 V |
Tipo di package |
TO-220 |
Tipo di montaggio |
Su foro |
Numero pin |
3 |
Resistenza massima drain source |
6,5 mO |
Modalità del canale |
Enhancement |
Tensione di soglia gate massima |
4V |
Tensione di soglia gate minima |
2V |
Dissipazione di potenza massima |
300 W |
Configurazione transistor |
Singolo |
Tensione massima gate source |
-20 V, +20 V |
Numero di elementi per chip |
1 |
Altezza |
9.15mm |
Serie |
STripFET II |
Massima temperatura operativa |
+175 °C |
Lunghezza |
10.4mm |
Larghezza |
4.6mm |
Materiale del transistor |
Si |
Minima temperatura operativa |
-55 °C |
Carica gate tipica @ Vgs |
142 nC a 10 V |
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