MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/involucro: TO-252-3
Polarità transistor: P-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source: 60 V
Id - corrente di drain continua: 5.1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 500 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V
Vgs - Tensione gate-source: 10 V
Qg - Carica del gate: 12 nC
Temperatura di lavoro minima: - 55 C
Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 25 W
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